TSMC เผยว่านอกจากจะเข้าสู่กระบวนการผลิต 3 นาโนเมตรภายในครึ่งหลังของปี 2022 แล้ว ยังมีแผนจะพัฒนากระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรอีกด้วย
สำหรับกระบวนการผลิตขนาด 3 นาโนเมตรนั้น TSMC เลือกจะใช้ FinFET เหมือนกับที่ผลิตอยู่ในปัจจุบัน แต่กระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรที่มีความซับซ้อนกว่านั้นจะหันไปใช้ GAA (Gate-All-Around) แทน
การวิจัยและสร้างโรงงานเพื่อผลิต 2 นาโนเมตรนี้จะทำให้เกิดการว่าจ้างงานกว่า 8,000 ตำแหน่ง และจะต้องใช้ที่ดินอีกจำนวนมาก โดยทาง TSMC ได้กว้านซื้อที่ดินในเขตชินชู (Hsinchu) เพื่อตั้งศูนย์วิจัยและพัฒนากระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรแล้ว
สำหรับคู่แข่งอย่าง Samsung เลือกจะใช้การผลิตแบบ GAA ตั้งแต่กระบวนการผลิตขนาด 3 นาโนเมตร โดยมีช่วงใช้งานผลิตจริงในปี 2022 เช่นเดียวกันกับ TSMC อย่างไรก็ตามยังไม่มีข้อมูลว่า TSMC คาดว่ากระบวนการผลิตขนาดดังกล่าวจะเริ่มใช้งานจริง หรือทดสอบผลิตได้เมื่อไหร่
ที่มา – GSMarena
You must be logged in to post a comment.