Samsung ประกาศว่าเริ่มทำการผลิตหน่วยความจำประเภท GDDR6 แล้ว โดยจะใช้งานกับการ์ดจอ เครื่องเล่นเกมส์คอนโซล และเซิฟเวอร์ในอนาคต และมีจุดเด่นที่ความเร็วแบนด์วิธสูงกว่า HBM2
หน่วยความจำดังกล่าวใช้กระบวนการผลิต 10 นาโนเมตร และมีความจุ 16 Gigabits มากเป็นสองเท่าของชิปรุ่นก่อนหน้า (GDDR5) ที่ใช้กระบวนการผลิต 20 นาโนเมตร และมีขนาดเพียง 8 Gigabits เท่านั้น นอกจากนี้ยังกินไฟน้อยลง 35% เพราะลดแรงดันไฟจาก 1.55V เหลือเพียง 1.35V เท่านั้น
GDDR6
สำหรับอุปกรณ์ที่นำหน่วยความจำไปใช้ ถ้าเปิดใช้งานแบบ 384-bit จะทำความเร็วสูงสุดได้ที่ 864 GB/s แซงหน้ามาตรฐานที่ใช้อยู่ปัจจุบันอย่าง HBM2 ที่ใช้งานได้เพียง 256-bit เท่านั้น และมีความเร็ว 576 MB/s เท่านั้น (อย่างไรก็ตาม HBM2 ที่ 256-bit ยังคงเร็วกว่า GDDR5 ที่ 384-bit อยู่ดี)
ณ ตอนนี้มีแต่ข่าวว่า Samsung เริ่มการผลิตหน่วยความจำ GDDR6 เท่านั้น ส่วนอุปกรณ์ที่ใช้หน่วยความจำชนิดนี้จะเริ่มวางจำหน่ายเมื่อไหร่ยังไม่มีข้อมูลออกมาครับ โดยทาง Samsung คาดว่าไม่นาน เพราะตอนนี้เราต้องการอุปกรณ์ที่ดีขึ้น เร็วขึ้น แรงขึ้น จากกระแสของ Virtual Reality (VR), ปัญญาประดิษฐ์ (AI) และวิดิโอ 8K นั่นเอง
ที่มา – GSMarena
You must be logged in to post a comment.