Samsung เผยรายละเอียดการพัฒนากระบวนการผลิตชิปในอนาคตว่าจะเริ่มผลิต 5 นาโนเมตรในปีหน้า และพร้อมจะทดสอบ GAAFET ที่ใช้ผลิต 3 นาโนเมตรของตัวเองที่ชื่อว่า MBCFET
Samsung เผยว่าจากความร่วมมือกับ IBM ได้หาทางออกในกระบวนการผลิตขนาด 3 นาโนเมตรได้แล้ว คือจะต้องใช้เทคโนโลยี GAAFET (Gate-all-around FET) แต่ทว่ายังมีข้อจำกัดในการใช้งานจริง จึงได้พัฒนาต่อยอดออกมาแล้วใช้ชื่อว่า MBCFET (Multi bridge Channel FET) ซึ่งจะใช้แผ่นนาโนชีทจำนวนมากซ้อนกัน ทำให้ส่งกระแสไฟได้มากขึ้นขึ้นเนื่องจากแท่งมีขนาดใหญ่กว่าแบบที่อยู่ใน GAAFET และลดขนาดการผลิตลงไปเหลือ 3 นาโนเมตรได้
สำหรับช่วงสิบปีที่ผ่านมานี้ เชื่อว่าหลายๆ คนน่าจะเคยผ่านตาคำว่า FinFET กันมาบ้าง โดยกระบวนการดังกล่าวแม้จะมีประสิทธิภาพที่ดีกว่า Planar FET ที่ใช้กันมายาวนาน แต่ปัจจุบันก็ถึงทางตันเรื่องของแรงดันไฟที่ใช้เนื่องจาก Node มีขนาดเล็กลงเรื่อยๆ จนมีคำกล่าวว่าเราไม่มีทางที่จะข้ามผ่านกำแพง 5 นาโนเมตรไปได้ เนื่องจากเล็กเกินไปจนทำให้อิเล็กตรอนไหลเองได้อย่างอิสระ ทำให้สถานะของสวิทซ์แทนที่จะเป็น 0 กับ 1 จะคงสภาพเป็น 1 ตลอด
การเปลี่ยนมาใช้ GAAFET จะช่วยแก้ไขปัญหาดังกล่าวได้ แต่ในการนำไปใช้งานจริงยังมีข้อจำกัดอยู่ จึงเป็นที่มาของการปรับเปลี่ยน nanowires ให้มีขนาดใหญ่ขึ้น เพื่อที่จะนำกระแสไฟฟ้าได้ดีขึ้น (สายนำไฟฟ้า nanowires ก็ไม่ต่างอะไรกับท่อน้ำ เมื่อมันมีหน้าตัดใหญ่ขึ้น ก็สามารถนำไฟฟ้าได้ดีขึ้น) นอกจากนี้ยังทำให้บริโภคแรงดันไฟน้อยลงด้วย โดยสามารถลดลงไปถึง 0.75V ก็ยังทำงานได้ อีกทั้งโฆษณาว่า MBCFET นั้นสามารถใช่งานร่วมกับ FinFET ได้ ผู้ผลิตสามารถเปลี่ยนกระบวนการผลิตที่ใช้อยู่ได้ทันทีโดยไม่ต้องออกแบบชิปใหม่
ทาง Samsung ระบุว่า 5 นาโนเมตรจะเริ่มผลิตจริงจังในปีหน้า (2020) ส่วน 3 นาโนเมตรนั้นปัจจุบันอยู่ในช่วงอัลฟาของการออกแบบ Product Design Kit ยังคงต้องใช้เวลาไปอีกพักใหญ่ๆ กว่าจะผลิตได้จริง
ที่มา – Tech Explore
You must be logged in to post a comment.