News & Update

Samsung เดินหน้าผลิตชิพหน่ยวความจำ DRAM รุ่นใหม่ขนาด 10nm

Samsung

Samsung เตรียมเพิ่มระดับการผลิตชิพหน่วยความจำตัวใหม่ ซึ่งเป็นรุ่นที่สองที่มีขนาด 10 นาโนมเตร และจะเป็นชิพหน่วยความจำที่ได้ใช้ในอนาคตบนรูปแบบ DDR4 อีกด้วย

โดยชิพหน่วยความจำแบบใหม่นี้ซัมซุงได้เคลมไว้ว่า ชิพหน่วยความจำรุ่นที่สองขนาด 10 นาโนเมตรจะมีประสิทธิภาพมากขึ้น 10% และประหยัดพลังงานมากขึ้น 15% เมื่อเทียบกับรุ่นแรก

Samsung DRAM 2nd gen 10nm

โดยตอนนี้ชิพหน่วยความจำหนึ่งตัวจะมีความจุ 8Gb(Gibabit) หรือ 1GB(Gibabyte) สามารถทำงานได้ความเร็วถึง 3,600 Mb/s โดยเร็วกว่ารุ่นแรกถึง 12.5%

 

และการที่ซัมซุงสามารถผลิตชิพหน่วยความจำได้เร็วขึ้น นั่นหมายความว่าโรงงานผลิตพร้อมที่จะผลิต และจะได้เห็นสมาร์ทโฟน พีซี หรือแล็ปท็อปที่ใช้แรม DDR4 ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่าในปัจจุบันอย่างแน่นอน

อ้างอิง Samsung News GSMArena

ร่วมแสดงความคิดเห็น

ความเห็น

เรื่องยอดนิยม

To Top