IBM และ Samsung แถลงข่าวร่วมกันว่าได้ฝ่าทางตันของโลกสารกึ่งตัวนำเป็นผลสำเร็จที่งาน IEDM ด้วยการซ้อนทรานซิสเตอร์ในแนวตั้ง แทนที่จะอยู่ในแนวระนาบเหมือนปัจจุบัน
เทคนิคซ้อนทรานซิสเตอร์ในแนวตั้งนี้จะเรียกว่า VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistor) โดยวิธีนี้จะมีข้อดีกว่าแบบเดิมสองอย่างด้วยกัน ประการแรกมันจะฝ่าทางตันของกฏแห่งมัวร์ที่ใกล้จะถึงขีดจำกัดเนื่องจากกระบวนการผลิตให้เล็กกว่านาโนเมตรยังเป็นไปไม่ได้ด้วยเทคโนโลยีในปัจจุบัน (กฏของมัวร์กล่าวว่าจำนวนทรานซิสเตอร์จะเพิ่มขึ้นสองเท่าทุกๆ 18 เดือน แต่ถ้าหากกระบวนการผลิตไม่สามารถลดขนาดได้แล้ว การจะเพิ่มปริมาณให้มากขึ้นก็ย่อมเป็นไปไม่ได้)
อีกประการหนึ่งคือการออกแบบในแนวตั้งนี้จะทำให้ลดพลังงานที่เสียเปล่าเนื่องจากกระบวนการส่งพลังงานที่ใช้ในปัจจุบัน ทั้งสองบริษัทคาดว่า VTFET นี้จะทำให้พลังประมวลผลเร็วแรงกว่าเดิม 2 เท่า หรือถ้าคงประสิทธิภาพเอาไว้ อัตราการบริโภคพลังงานน่าจะลดลงไปกว่า 85% เมื่อเทียบกับทรานซิสเตอร์แบบ FinFET
ความฝันในการนำเทคนิคนี้ไปใช้ก็ยังคล้ายๆ เดิม คือทั้งคู่ยังวาดฝันว่าสักวันหนึ่งเทคโนโลยีนี้จะทำให้มือถือชาร์จแบตเตอรีหนึ่งครั้งอยู่ได้ทั้งสัปดาห์ หรือการขุดเหมืองคริปโตจะประหยัดพลังงานลงกว่าปัจจุบันมาก และส่งผลกระทบกับธรรมชาติน้อยลง
ทาง IBM และ Samsung ยังไม่เปิดเผยว่าจะหาทางนำเทคนิค VTFET ไปหากำไรอย่างไร (เช่นการขายไลเซนส์ให้ผู้พัฒนา ผู้ผลิตเจ้าอื่น) แต่ฝั่ง Intel เองเมื่อเดือนกรกฏาคมที่ผ่านมาก็บอกว่าออกแบบชิปใหม่ที่จะวางจำหน่ายในปี 2024 และจะกระโดดข้ามหน่วยนาโนเมตรไปที่ระดับอังสตรอมแล้ว (10 อังตรอม = 1 นาโนเมตร) โดยจะใช้กระบวนการจัดเรียงทรานซิสเตอร์แบบ RibbonFET และเรียกเทคนิคดังกล่าวว่า Intel 20A
ที่มา- Engadget
You must be logged in to post a comment.