ขณะที่ Samsung กับ TSMC แข่งกันเป็นผู้ผลิตชิปที่กระบวนการผลิตขนาด 3 นาโนเมตรเป็นรายแรก ทาง IBM ก็เผยว่าผลิตชิปที่ขนาด 2 นาโนเมตรได้เป็นรายแรก เมื่อเทียบกับการผลิตแบบ 7 นาโนเมตรก็จะทำให้อัตราการบริโภคพลังงานลดลง 75% เลยทีเดียว
แน่นอนว่าการผลิตที่ขนาดเล็กเช่นนี้ต้องใช้เครื่อง EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) ที่จะลากเส้นขนาดเล็กมากๆ เช่นนี้ได้ โดยเทคโนโลยีที่ใช้นั้น IBM ใช้ GAA (Gate all-around) แทนที่จะเป็น FinFET โดยบอกว่าวิธีนี้จะทำให้นำไฟฟ้าได้ดีกว่า และทั่วถึงชิปทุกส่วน
ถ้าต้องการให้ชิปที่ผลิตด้วยกระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรทำงานได้เท่าๆ กับ 7 นาโนเมตร ชิปจะกินไฟน้อยลง 75% แต่ถ้าให้บริโภคพลังงานเท่าๆ กันจะมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 45% เลยทีเดียว จัดว่าเป็นจุดสมดุลย์ระหว่างการเร่งประสิทธิภาพ และอัตราการบริโภคพลังงาน
IBM ระบุว่าอุปกรณ์ที่ใช้ชิปที่ผลิตด้วยกระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรจะแบตเตอรีอึดขึ้นกว่า 7 นาโนเมตรถึงสี่เท่าด้วยกัน จากที่ต้องชาร์จมือถือวันละครั้งก็กลายเป็นสี่วันครั้ง (แต่จริงๆ แล้วอัตราการบริโภคพลังงานหลักของมือถือเกิดจากหน้าจอ ดังนั้นเอาเข้าจริงก็คงจะต้องชาร์จมือถือวันละครั้งอยู่ดีครับ) งานที่ต้องการประสิทธิภาพสูงและลดอัตราการบริโภคพลังงาน ไม่ว่าจะเป็น Datacenter, 5G, 6G หรืองานสำรวจอวกาศ งานปัญญาประดิษฐ์ล้วนแต่ได้รับประโยชน์จากการลดขนาดกระบวนการผลิตนี้ทั้งสิ้น
แม้ว่าในห้องแล็บ IBM จะสามารถทำการผลิต 2 นาโนเมตรได้แล้วก็ตาม แต่กว่าจะไปถึงขั้นผลิตในโรงงานยังคงเป็นความท้าทายในแง่ของการผลิตให้ได้จำนวนมาก ลดอัตราการผลิตเสีย และต้องผ่านไปถึงจุดคุ้มทุน ยังไม่แน่ชัดนักว่าเราจะได้เห็น IBM เริ่มผลิตชิปด้วยกระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรเมื่อไหร่ เพราะปีนี้ก็เพิ่งจะเริ่มรับผลิต 7 นาโนเมตรได้เท่านั้น ขณะที่เจ้าตลาดอย่าง Samsung ,TSMC จะเริ่มทดสอบการผลิต 3 นาโนเมตรภายในปีนี้ และเริ่มผลิตจริงปีหน้า (ถ้าหากไม่ได้รับผลกระทบจากการขาดแคลนสารกึ่งตัวนำ)
ที่มา – Engadget, Phone Arena
You must be logged in to post a comment.