News & Update

Samsung เดินหน้าผลิตชิพหน่ยวความจำ DRAM รุ่นใหม่ขนาด 10nm

Samsung

Samsung เตรียมเพิ่มระดับการผลิตชิพหน่วยความจำตัวใหม่ ซึ่งเป็นรุ่นที่สองที่มีขนาด 10 นาโนมเตร และจะเป็นชิพหน่วยความจำที่ได้ใช้ในอนาคตบนรูปแบบ DDR4 อีกด้วย

โดยชิพหน่วยความจำแบบใหม่นี้ซัมซุงได้เคลมไว้ว่า ชิพหน่วยความจำรุ่นที่สองขนาด 10 นาโนเมตรจะมีประสิทธิภาพมากขึ้น 10% และประหยัดพลังงานมากขึ้น 15% เมื่อเทียบกับรุ่นแรก

Samsung DRAM 2nd gen 10nm

โดยตอนนี้ชิพหน่วยความจำหนึ่งตัวจะมีความจุ 8Gb(Gibabit) หรือ 1GB(Gibabyte) สามารถทำงานได้ความเร็วถึง 3,600 Mb/s โดยเร็วกว่ารุ่นแรกถึง 12.5%

 

และการที่ซัมซุงสามารถผลิตชิพหน่วยความจำได้เร็วขึ้น นั่นหมายความว่าโรงงานผลิตพร้อมที่จะผลิต และจะได้เห็นสมาร์ทโฟน พีซี หรือแล็ปท็อปที่ใช้แรม DDR4 ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่าในปัจจุบันอย่างแน่นอน

อ้างอิง Samsung News GSMArena

To Top

เราใช้คุกกี้เพื่อพัฒนาประสิทธิภาพ และประสบการณ์ที่ดีในการใช้เว็บไซต์ของคุณและสามารถจัดการความเป็นส่วนตัวเองได้ของคุณได้เองโดยคลิกที่ ตั้งค่า

Privacy Preferences

คุณสามารถเลือกการตั้งค่าคุกกี้โดยเปิด/ปิด คุกกี้ในแต่ละประเภทได้ตามความต้องการ ยกเว้น คุกกี้ที่จำเป็น

Allow All
Manage Consent Preferences
  • คุกกี้ที่จำเป็น
    Always Active

    ประเภทของคุกกี้มีความจำเป็นสำหรับการทำงานของเว็บไซต์ เพื่อให้คุณสามารถใช้ได้อย่างเป็นปกติ และเข้าชมเว็บไซต์ คุณไม่สามารถปิดการทำงานของคุกกี้นี้ในระบบเว็บไซต์ของเราได้

  • GA

    Google Analytic

Save